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氮化鎵加工

氮化鎵外延片

產品中心

Product Center

掩膜版設計仿真各種尺寸定制掩膜版設計。器件...

接觸式光刻最小圖形尺寸：1m，套刻精度：0.5m ...

堿性腐蝕 KOH，TMAH 酸性腐蝕 HF，BOE，HCI，HN...

外延生長·摻雜

金屬有機物化學氣相沉積 GaN，GaAsGaN 化學氣相...

研磨/減薄 Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，...

晶圓級電鍍 Au，Cu，Ni，Sn 微細加工 (1)可制造...

倒裝鍵合芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度2mm，溫度...

硅、玻璃表面微加工技術微結構薄膜材料：二氧化...

GaN-on-Si for Power

尺寸 4/ 6/8 主要特點高擊穿電壓(垂直擊穿電壓...

GaN-on-SiC for RF

尺寸 2/3/4/6 主要特點極低的緩沖區漏電流良好...

GaN-on-HR_Si for RF

尺寸 4/6 主要特點極低的緩沖區漏電流高電子遷...

GaN-on-Sapphire for

尺寸 2/4/6 主要特點高擊穿電壓(2000V)和極低的...

成就客戶·臻于至善

蘇州硅時代電子科技有限公司（Si-Era），位于國內最大的第三代半導體產業集聚區——蘇州工業園區。利用在第三代半導體領域近20年的技術積累，在射頻、功率、以及氮化鎵傳感器方面都擁有大量的設計和工藝經驗。

基于成熟的設計及工藝團隊，蘇州硅時代面向第三代半導體流片，提供全方位的技術服務?？商峁┗诘谌雽w的外延片、芯片設計、工藝驗證、小批量試制、中試化量產、氮化鎵芯片封裝方案設計等系統解決方案......

SIERA

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News Center

2022

11-07

半導體氮化鎵國產芯片企業有哪...

氮化鎵是第三代半導體材料，它是一種直接能隙的半導體。氮化鎵的硬度高，主要用在高功率、高速的光電元件中。目前，國內關于氮...

2022

10-14

氮化鎵的加工技術

作為第三代半導體材料的氮化鎵晶片在市場上不但價格高昂，而且由于國際貿易的技術壁壘，經常出現一片難求的情況。由于氮化鎵的...

2022

09-23

氮化鎵代工將成為新賽場

近段關于氮化鎵的消息在市場上越來越多，三星、華為等知名企業都接連投資了與氮化鎵相關的企業，其中小米氮化鎵充電器在市場的...

2022

09-09

氮化鎵半導體和芯片關系

芯片是使用半導體技術生產的產品，所謂半導體，是指所有的混搭金屬和其他無機雜質，會產生導電和近乎不導電的材料特性；而芯片是...

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