尺寸 4/ 6/8 主要特點 高擊穿電壓(垂直擊穿電壓600V)和極低的緩...

尺寸 2/3/4/6 主要特點 極低的緩沖區漏電流 良好的均勻性和重復...

尺寸 4/6 主要特點 極低的緩沖區漏電流 高電子遷移率2200cm/Vs ...

尺寸 2/4/6 主要特點 高擊穿電壓(2000V)和極低的緩沖區泄漏電流...

尺寸 4/ 6/8 主要特點 良好的晶體質量 良好的波長均一性 在大尺...

尺寸 2/ 4/6 主要特點（藍光/ 綠光 LED結構） 良好的晶體質量 高...

尺寸 2 主要特點 GaN 厚度 20um 背景濃度 5E15cm-3

尺寸 蘇州硅時代電子科技有限公司可以根據客戶的實際需求提供定...