氮化鎵（GaN）代工
氮化鎵（GaN）外延片
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| 接觸式光刻 | 最小圖形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm |
| 步進式光刻 | 投影比例1:5，最小圖形尺寸：0.35μm 套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范圍<22.5*22.5mm |
| 電子束光刻 | 最小圖形尺寸：10nm，套刻精度：40nm 曝光范圍<直徑75mm |
| 雙面對準光刻 | 最小圖形尺寸：1μm，正面套刻精度：±0.5μm 背面套刻精度：±0.5μm |
| 勻膠/顯影 | 正膠：50nm~20μm，負膠：50~400nm |
| 噴膠 | 單次厚度<2μm |
| 熱板/烘箱 | 熱板溫度<180℃，烘箱溫度<350℃ |
案例展示
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| 納米線@PMMA CD 8nm | 二維光柵 with CD 50nm |
變直徑納米盤 誤差±5nm |
Φ100um 光波導 線寬700nm |
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