氮化鎵GaN流片
蘇州硅時代電子科技有限公司
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外延生長·摻雜
產品詳情
金屬有機物化學氣相沉積
GaN,GaAsGaN
化學氣相沉積
SIC
離子注入
B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高溫氧化
1150℃
高溫擴散/退火
900℃-1100℃
快速退火
150℃-1000℃
案例展示
Diamond-coated wafers
晶圓圓片長膜、圖形化
電話:18115531507
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