氮化鎵（GaN）代工
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| 倒裝鍵合 | 芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度<2mm，溫度<450℃ 精度：±3μm，壓力<100kg，2寸晶圓對晶圓鍵合 |
| 晶圓鍵合 | 陽極鍵合、共晶鍵合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）、膠鍵合（BCB，SU8，鍵合專用膠)，對準精度±5μm |
| 點膠 | 工作范圍≤300*300mm，膠量控制：容積式和氣壓式，膠水黏度<50kCPS，單次膠量<0.16900ml，時間設置范圍<9.999sec |
| 貼片 | 銀漿、焊料 |
| 引線 | 球形焊、楔形焊；Au線，Al線 |
| 回流爐 | 真空：2mbar，溫度<450℃±0.05℃ |
| 平行封焊 | 各類金屬管殼，位置精度：±0.0381mm，壓力<5kg |
| TSV（硅通孔）工藝 | 1、通孔的形成；2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積；3、電鍍填充，去除和再布線；4、晶圓減??；5、鍵合、劃片 |
| TGV（玻璃通孔工藝） | 可完成打孔、沉積、填充再布線、減薄、鍵合劃片等。 |
案例展示
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| 底層管芯與頂層管芯堆疊連接 | Cu-Cu Metal Diffusion Bond |
TSV（Cu&Sn鍵合）Process |
Ultra High Density TGV For MEMS |
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