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            GaN-on-SiC for RF
            
                
            
            
            
            
            
            
            
            	產品詳情
            
            
            
            
            	
            
	
		
            
			尺寸
			2"/3"/4"/6"
		
            
		
            
			主要特點
			• 極低的緩沖區漏電流
            
			• 良好的均勻性和重復性
            
			• 高電子遷移率            		
		
            
	            

            
            
            
      
    
            
        
            
    
            

            




            
 


            
            
        
            


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