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            GaN-on-Sapphire for RF

            產品詳情
            尺寸 2"/4"/6"
            主要特點 • 高擊穿電壓(>2000V)和極低的緩沖區泄漏電流(~nA/mm)
            • 良好的均勻性和再現性
            • 高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻
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