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            SOI硅片
            
                
            
            
            
            
            
            
            
            	產品詳情
            
            
            
            
            	
            
	
		
            
			直徑
			4~8英寸
		
            
		
            
			鍵合型SOI(Bonding)
			通常對應頂層硅厚度1um 以上的SOI。把2片生長了氧化層的硅片鍵合在一起，氧化層成為埋氧層。其中一個硅片腐蝕拋光減薄成為器件的薄硅膜 ， 另一個硅片作為支撐的襯底。
		
            
		
            
			離子注入型
			通常對應頂層硅厚度1um 以下的SOI，例如頂層硅厚度為220nm，340nm等。 
		
            
		
            
			 由世界知名廠家生產，用戶需定義頂層硅、氧化硅、體硅這三種材料的參數。常規規格庫存充足，可零售；特殊規格需定制。       
		
            
	            

            
            
            
      
    
            
        
            
    
            

            




            
 


            
            
        
            


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