氮化鎵（GaN）代工
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| 類型 | 導電型和半絕緣型 | ||||
| 等級 | Z級（Zero MPD） | 工業級（Production) | 研究級（Research） | 測試級（Dummy） | |
| 直徑 | 2~6英寸 | ||||
| 厚度 | 4H-N | 350±25um | |||
| 4H-SI | 500±25um | ||||
| 晶向 | 4H-N | Off axis：4.0°toward 1120！±0.5° | |||
| 4H-SI | On axis：<0001>±0.5° | ||||
| 微管密度 | <1cm-2 | <5cm-2 | <15cm-2 | <50cm-2 | |
| 電阻率 | 4H-N | 0.015~0.028Ω·cm | |||
| 6H-N | 0.02~0.1Ω·cm | ||||
| 4/6H-SI | >1E5Qcm | (90%)>1E5Qcm | |||
| 邊緣去除 | 3mm | ||||
| 其它參數 | Ra、TTV、Bow、Warp以及其它表面參數按照Semi標準執行，如有特殊要求，請來電咨詢。 | ||||
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